追溯发家史三星半导体逆市扩张期望再创辉煌BBIN BBIN宝盈

　　1977年三星成立了半导体部门。在 1979年，三星建立了一家可以生产DRAM（动态随机存取内存）的晶圆厂。如果没有获得其它芯片企业的授权，三星就不能开发和制造内存。虽然三星向日立、德州仪器等企业申请许可授权，但是都被拒绝了。

　　到了1983年，经过几年的等待，三星才获得美光64K DRAM的设计授权。随后，三星在6个月内设计并制造出64K DRAM内存芯片。到1984年，三星又设计并制造出256K DRAM。

　　三星获得高速发展，得益于当时韩国可以提供足够的科技人才，以及低廉的劳动力。而且三星在采购设备、软件和其它原材料时，受到的阻碍较少。

　　1985年，美国开始向日本的半导体企业发起反倾销诉讼。三星发现这是个机会，于是开始大举DRAM内存业务，建立了多家晶圆厂，扩大DRAM的产能。使其在市场上的占有率迅速扩大，进一步增强了竞争力。

　　虽然东芝在1987年发明了NAND，但是三星后来者居上，不断地开发出新产品。并于2002年成为全球首个量产1G NAND的企业。依靠1G NAND的产品优势，三星NAND的销量在2002年底占领了全球54%的市场。

　　三星的发展，也带动了韩国内存产业的发展，现代和SK海力士在全球的内存市场上都占有重要的地位。这些企业开始建立集群，希望依靠集群的优势，获得更多的市场份额。这使得韩国企业对于全球内存市场具有更大的影响力。

　　在2008年，经济危机开始席卷全球。DRAM的价格开始跌破成本价，很多企业因此受损。三星却逆市行动，不断地扩大产能，迫使德国奇梦达和日本东芝不停地采取相应的行动。最终导致奇梦达和东芝的经营出现了问题，奇梦达以破产而告终，东芝被美国资本收购。而三星则继续在DRAM市场中维持领先地位。

　　2022年，由于PC市场出现疲软，导致三星和美光等内存厂家出现亏损。美光等半导体企业采取降低，减少支出的方式去面对市场出现下滑的状态。而三星却依旧按照过去的方法，计划在2023年继续增加晶圆的产量。

　　三星之所以选择这种策略，主要是考虑到半导体产业的发展轨迹是周期性的。即使现在出现衰退，但是过段时间就会开始复苏。由于美国对中国供应商实施了禁令，导致苹果将中国企业的NAND订单转移到三星那里，这将使三星获益。这样使三星有更多的资本，玩增加产量的游戏，让其它竞争对手不敢跟随三星的步伐。

　　希望借助以往的历史经验，获得更多的市场掌控力。三星计划在2023年扩大产量的同时，继续对DRAM和NAND降价。这看上去又像是历史在重演。三星的发展，既有本身抓住机遇的成分，同时也从美国的政策中获得了巨大的利益。

　　随着中国半导体技术的发展，中国的芯片企业将会突破美国的封锁，获得全新的发展。到时，三星以往成功的策略有可能会失效，因为它将面临许多更强大的对手。