化学气相沉积CVD系统用于均匀沉积薄膜材料包括半导体碳化硅SiCBBIN BBIN宝盈集团

　　用于均匀沉积薄膜材料，包括半导体、碳化硅（SiC）、金属基板上的氧化物、碳化物、氮化物等。得到的薄膜表现出优异的均匀性和良好的阶梯覆盖。化

　　独立式化学气相沉积（CVD）系统包括一个具有长均匀加热区的CVD炉、一个混合气体模块由质量流量计和真空模块控制。系统连接器使用不锈钢法兰和高温O形密封圈密封。炉子在滑动导轨便于移动，便于快速冷却。气体模块最多可混合三种气体由质量流量计监测的源。配备两级旋转式/分子真空泵，系统真空可达。金属、半导体和介电材料至关重要电子设备组件（如高效太阳能电池板、存储系统、计算机芯片和各种高性能工具）通常通过化学方法制造气相沉积。化学前体在这些方面起着非常关键的作用器件制造和Chemat提供了广泛的高纯度CVD用于这些应用的前体。这些前体是包装在不锈钢气泡中，可轻松连接到化学气相沉积系统。可用的前体有制造金属的金属醇盐、烷基酰胺和乙酰丙酮氧化物、氮化物和金属。独立式化学气相沉积（CVD）系统规格参数炉子部分最大温度：1200℃加热区域：270mm均匀加热区域：100mm石英管直径：40/60/80/100mm可选石英管长度：1000mm滑轨长度：820mm气体混合模块气源：3个气源控制：质量流量计范围：0-1 SLM真空模块线级泵最大线 Pa真空显示：数字

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