BBIN BBIN宝盈集团国镓半导体获近千万元融资聚焦第三代半导体功率器件

　　集微网消息，近期，国镓半导体获近千万元融资，方包括汉理资本七号基金“汉理暴龙”、无锡高新区太科办、创东方、南京鑫宝赉、镇江乾鹏、汉理前邺，本次融资主要用于产品的流片、封装测试、量产及市场推广。

　　国镓半导体是一家专注于第三代半导体材料GaN氮化镓功率器件及功率IC的Fablite型公司，掌握了氮化镓材料特性、衬底材料、外延片生长、器件/芯片设计、FAB制程、封装工艺等方面的全产业链核心技术，产品瞄准的是工业级、车规级的市场，广泛地应用于手机、大型数据中心、电动汽车等领域。

　　汉理资本官方消息显示，公司研发团队以第三代半导体GaN氮化镓硕士博士人员为主，占比超过95%，都在GaN氮化镓行业拥有10-20年丰富的研发经验，包括美国加州大学UCSB、香港科技大学、电子科技大学、复旦大学等。

　　据悉，国镓半导体拥有650V、900V、1200V及100V、200V不同平台GaN氮化镓产品，其具有高可靠性、高稳定性、低漏电流、高开关频率、高转换效率等特色优势。该公司GaN氮化镓产品可以在大功率充电、户外电源、移动电源、光伏储能、数据中心、东数西算、5G通信、激光雷达、电动汽车等领域广泛应用。（校对/赵碧莹 ）

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