BBIN第三代半导体：中国半导体的希望

　　不知道大家有没有注意到，近两年手机的充电速度是越来越快了。各大手机厂商不断升级自家的快充功能，并且推出各种各样的快充充电器。

　　8月中旬，小鹏S4超快充首桩上线+公里”。此外还有广汽埃安2023款AION V Plus、极狐阿尔法S华为HI版等都卷进了超快充领域。

　　半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分。半导体材料分为制造材料和封装材料，其中制造材料主要是制造硅晶圆半导体、砷化镓（GaAs）、碳 化 硅（SiC）等化合物半导体的芯片过程中所需的各类材料，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。半导体制造材料包括硅材料和砷化镓（GaAs）、 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。

　　硅衬底占据主要市场，三代半导体有望掀起底层材料端革命。硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场规模有望迎来快速发展。

　　第一代半导体材料：锗以及硅，也是目前最大宗的半导体材料，成本相对便宜，制程技术也最为成熟，应用领域在资讯产业以及微电子产业。

　　第三代半导体材料：是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱BBIN bbin和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

　　第三代半导体主要应用于功率器件和射频器件，主要就是应用于大功率的功率半导体方面，市场规模还是相对偏小。而主流的存储、电路等手机芯片还是以硅为主，这也是目前市场规模最大的领域。

　　第三代半导体材料渗透率逐年提升，2023年有望接近5%。根据Yole数据显示，Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。

　　2020年，我国第三代半导体整体产值超过7100亿，电力电子及微波射频持续增长。根据CASA数据，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产BBIN bbin值预计7013亿元，受新冠疫情影响较2019年下降7.1%；SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

　　碳BBIN bbin化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌、ST等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。

　　国内GaN功率半导体产业链已经实现全面布局。GaN产业链玩家的分类和SiC类似，GaN功率半导体全球布局方面，海外企业在技术及产能上均有较高的领先地位。海外龙头企业以IDM模式为主，主要包括德国英飞凌、美国Qorvo等。

　　苏州纳维、东莞中镓；外延制造商晶湛半导体、江苏能华；设计企业安谱隆、海思半导体；制造企业三安集成、海威华芯等。

　　飞鲸投研提醒者们，在关注第三代半导体行业的同时也应该更加明确，至今它仍在襁褓之中。

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