BBIN2nm 工艺量产？台积电预计于2024年得到高 NA EUV 光刻机并投入使用

　　BBIN bbin近日，据台积电核心研究人员米玉傑博士透露，台积电公司将预计在2025年前取得 ASML的次世代极紫外光微影设备即high-NA EUV，这一产品将会为客户采用相关的发展基础设施与架构提供解决的方案。据此前已公布的信息情况来看，High-NA EUV 光刻设备的单价预计为 4 亿美元（约 28 亿元人民币），较现有 EUV 光刻设备翻了整整三倍。

　　早先，三星电子集团的副董事长李在镕在此之前与就与ASML公司计划引进该荷兰生产半导体设备的制造商制造的下一代极紫外也就是EUV光刻设备进行会谈，而且就引进今年生产的 EUV 光刻设备以及计划于明年才推出的高数值孔径即High-NAEUV 光刻设备也达成相关协议。

　　今年更早些时候，英特尔公司还已经宣布签署了购买 5 台这种设备即TWINSCAN NXE:3600D的合同，预计将用于在 2025 年的时候来生产 1.8 纳米制作工艺的芯片。并且台积电还在 6 月 16 日的美国硅谷技术研讨会上表示，它将在2025年前于全球第一次将High-NA EUV光刻设备加入其制作工艺。