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　　半导体定义 电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体室温时电阻率约在 10E-510E7 欧姆·米之间温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。 锗和硅是最常用的元素半导体 化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物 砷化镓、 磷化镓等 、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体镓铝砷、镓砷磷等 。除上述晶态半导体外还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体...

　　半导体定义 电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体室温时电阻率约在 10E-510E7 欧姆米之间温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。 锗和硅是最常用的元素半导体 化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物 砷化镓、 磷化镓等 、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体镓铝砷、镓砷磷等 。除上述晶态半导体外还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体意指半导体收音机因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 在极低温度下 半导体的价带是满带(见能带理论)受到热激发后价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带空带中存在电子后成为导带价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对均能自由移动即载流子它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴电子-空穴对消失称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射发光或晶格的热振动能量发热 。在一定温度下电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡此时半导体具有一定的载流子密度从而具有一定的电阻率。温度升高时将产生更多的电子 - 空穴对载流子密度增加电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大实际应用不多。 编辑本段历程 IC 封装历史始于 30 多年前。当时采用金属和陶瓷两大类封壳它们曾是电子工业界的“辕马”凭其结实、可靠、散热好、功耗大、能承受严酷环境条件等优点广泛满足从消费类电子产品到空间电子产品的需求。但它们有诸多制约因素即重量、成本、封装密度及引脚数。最早的金属壳是 TO 型俗称“礼帽型”陶瓷壳则是扁平长方形。 大约在 20 世纪 60 年代中期仙童公司开发出塑料双列直插式封装PDIP 有 8 条引线。随着硅技术的发展芯片尺寸愈来愈大相应地封壳也要变大。到 60 年代末四边有引线较大的封装出现了。 那时人们还不太注意压缩器件的外形尺寸 故而大一点的封壳也可以接受。 但大封壳占用 PCB 面积多 于是开发出引线陶瓷芯片载体 LCCC 。 1976 年1977年间它的变体即塑料有引线载体PLCC面世且生存了约 10 年其引脚数有 16 个132 个。 20 世纪 80 年代中期开发出的四方型扁平封装QFP接替了 PLCC。当时有凸缘 QFPBQFP和公制 MQFPMQFP两种。但很快 MQFP 以其明显的优点取代了 BQFP。其后相继出现了多种改进型如薄型 QFPTQFP 、细引脚间距 QFPVQFP 、缩小型 QFPSQFP 、塑料 QFPPQFP 、金属 QFP(MetalQFP)、载带 QFPTapeQFP等。这些 QFP均适合表面贴装。但这种结构仍占用太多的 PCB 面积不适应进一步小型化的要求。因此人们开始注意缩小芯片尺寸相应的封装也要尽量小。实际上1968 年1969 年菲利浦公司就开发出小外形封装SOP 。以后逐渐派生出 J 型引脚小外型封装SOJ 、薄小外形封装TSOP 、甚小外形封装VSOP 、缩小型 SOPSSOP 、薄的缩小型 SOPTSSOP及小外形晶体管SOT 、小外型集成电路SOIC等。这样IC 的塑封壳有两大类方型扁平型和小型外壳型。前者适用于多引脚电路后者适用于少引脚电路。 随着半导体工业的飞速发展芯片的功能愈来愈强需要的外引脚数也不断增加再停留在周边引线的老模

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