BBIN BBIN宝盈集团半导体技术杂志发表论文目录表-期刊VIP网

　　 期刊信息：《半导体技术》(月刊)1976年创刊，以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。《半导体技术》主管单位：信息产业部，主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所，国内统一刊号：13-1109/TN，国际标准刊号：1003-353X

　　 期刊栏目：趋势与展望、专题报道、应用长廊、设计与开发、支撑技术、新品推荐。

　　 数据库收录情况：国家新闻出版总署收录维普网、万方数据库、知网数据库、文摘杂志、化学文摘(网络版)、日本科学技术振兴机构中国文献数据库、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、物理学、电技术、计算机及控制信息数据库收录

　　影响因子：截止2014年万方：影响因子：0.228;总被引频次：552

　　【摘要】：Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。

　　【关键词】： 锗(Ge) n型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻

　　①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网.

　　③期刊VIP网优先推荐您选择咨询率高的SCI期刊。学术顾问可以为您提供发表支持服务，助您论文发表速度更快、通过率更高。

　　专注学术论文咨询、学术指导、国外出版指导国内出版指导专利申请，提供全方位专业服务，论文服务指导范围涵盖SCISSCIEISCOPUS，论文服务内容包括翻译、润色、预审，期刊服务内容包括期刊推荐、发表支持。您可以与学术顾问沟通，介绍自己的学术需求，制定专属学术服务方案。